Новые Кремниевые Технологии

Общество с ограниченной ответственностью «Новые Кремневые Технологии»

Генеральный директор
Кандидат физ-мат наук
Лукьянов Андрей Витальевич

Описание предприятия

В 2008-2009 годах ООО Новые Кремневые технологии, был разработан метод и создано опытное производство, позволяющее выращивать на стандартных пластинах кристаллического кремния слой карбида кремния толщиной от десятой доли до нескольких десятков микрон.

Организация ООО «НКТ» создана в августе 2008 года для подачи заявки в «Роснано» в январе 2010 года в заявке было отказано экспертной комиссией с участием отечественных и зарубежных клиентов по причине 62% готовности. В 2011 году ООО «НКТ» стала участником фонда «Сколково» и в том же году получила грант в размере 23800000-00 рублей. В 2013 году ООО «НКТ» успешно отчиталась об исполнении работ по проекту и расходовании средств.

Продукция предприятия

  • Стабильно в лабораторных условиях выращиваются пластины низкодефектного карбида кремния толщиной 50-250 нм следующих политипов карбида кремния 3C-SiC , 4H-SiC на подложках кремния диаметром 1,5дюйма. Пластины наномасштабного карбида кремния политипов 3C, 4H, 6H на подложках кремния диаметра 1,5 дюйма
  • На пластинах SiC стабильно получаются слои нитрида алюминия (AlN), т.е слои типа AlN/SiC/Si с толщиной AlN 1- 50 мкм диаметром 1,5 дюйма.
  • На пластинах SiC стабильно получаются гетероструктуры нитрида галлия (GaN/AlN/SiC/Si) с толщиной 1- 50 мкм диаметром 1,5 дюйма. Плотность дислокаций несоответствия в слое GaN ниже 107 см2, что позволяет их использовать при создании транзисторов, светодиодов и др. электронных устройств.

Полуширина рентгеновской кривой качания в показателях FWHM – ω-θ ≈ 800- 1500 arcsec, в показателях FWHM – ω-2θ ≈100-200 arcsec на толщине, не превышающей 150 нм, что является лучшим в мире показателем,

Достижения

Проект ООО НКТ в 2014 г стал победителем на конкурсе « Регионы- устойчивое развитие»

На наших пластинах можно выращивать нитридные структуры минуя промежуточные слои-что удешевляет в разы производство и придает дополнительные качественные характеристики полученным таким образом нитридных структур, прежде всего нитридов галлия и нитридов

Контактная информация предприятия

Адрес: 195027 Санкт-Петербург Магнитогорская улица дом 51 лит.З.

Телефон: (812) 320-23-19

Электронная почта: sviatofis@mail.ru

Сайт: http://www.ooo-svetloe.ru

  Комментарии к проекту

  Презентация